Transistor p-mos

[moreno88]

Salve a tutti,
sono molto confuso riguardo le condizioni (per via dei segni della soglia e delle convenzioni) di accensione,di saturazione per un transistor p-mos.
potreste indicarmi le condizioni e anche il valore della corrente?

[K.Lomax]

Su quale libro studi? Il "classico" Sedra-Smith ha una fantastica tabellina dove, sia per MOSFET che JFET, per entrambi i tipi di transistor (p o n, arricchimento o svuotamento) vengono riportate le diverse condizioni di funzionamento.

[anymore1]

forse sono un pò in ritardo comunque:
regione di interdizione $i_d=0$ per $V_(gs)>=V_(tp)$
triodo $i_d=K_p(V_(gs)-V_(tp)-(V_(ds)/2))(V_(ds))$ per 0<=|Vds|<=|Vgs-Ttd|
saturazione $i_d=(K_p/2)(V_gs-Vtp)^2$ per |Vds|>=|Vgs-Vtp|>=0

[byob12]

"moreno88":Salve a tutti,
sono molto confuso riguardo le condizioni (per via dei segni della soglia e delle convenzioni) di accensione,di saturazione per un transistor p-mos.
potreste indicarmi le condizioni e anche il valore della corrente?

se non voui stare a ragionare su moduli, convenzioni, etc. usa queste semplici formule.

caso 1:$V_(gs) >= V_t$
in questa condizione il p-mos è in zona di interdizione (o di cut-off).
la corrente di drain vale $I_d = 0$


caso 2: $\{(V_(gs) < V_t),(V_(gd) < V_t):}$
in questa condizione il p-mos è in zona triodo (o ohmica).
la corrente di drain vale $I_d = \mu_p*C_(os)*W/L*(|V_(gs) - V_t| * V_(ds) - V_(ds)^2)$


caso 3: $\{(V_(gs) < V_t),(V_(gd) > V_t):}$
in questa condizione il p-mos è in zona di saturazione (o di pinch-off).
la corrente di drain vale $I_d = 1/2\mu_p*C_(os)*W/L*(V_(gs) - V_t)^2$

[campo85]

"byob12":

caso 2: $\{(V_(gs) < V_t),(V_(gd) < V_t):}$

in questa condizione il p-mos è in zona triodo (o ohmica).

la corrente di drain vale $I_d = \mu_p*C_(os)*W/L*(|V_(gs) - V_t| * V_(ds) - V_(ds)^2)$

Non manca un fratto 2 al $V_(ds)^2$ ? E poi perché il valore assoluto vale solo per $|V_(gs) - V_t|$ e non per il fattore $V_(ds)$ ?