[Elettronica] Restringimento canale MOSFET
Salve a tutti,
non riesco a capire come mai se viene applicata una differenza di potenziale sul drain, il canale creato dalla ddp applicata al gate, viene a stringersi.
Da quel che ho capito, quando il canale viene a formarsi e sul drain non vi è nessuna tensione, gli elettroni non scorrono.
Applicando una leggera ddp sul drain ( che posso immaginarla come un aumento del numero di cariche positive sul drain, giusto? ), queste cariche vengono attirate dal campo generato da queste ultime sul drain e iniziano a scorrere.
Non capisco ora perché se la ddp sul drain dovesse aumentare, il flusso di elettroni si saturizzerebbe e il canale verrebbe a restringersi.
A me viene da pensare il contrario, ovvero che se aumento la ddp sul drain, l'effetto del campo sarebbe maggiore e gli elettroni scorrerebbero più ancor più velocemente
non riesco a capire come mai se viene applicata una differenza di potenziale sul drain, il canale creato dalla ddp applicata al gate, viene a stringersi.
Da quel che ho capito, quando il canale viene a formarsi e sul drain non vi è nessuna tensione, gli elettroni non scorrono.
Applicando una leggera ddp sul drain ( che posso immaginarla come un aumento del numero di cariche positive sul drain, giusto? ), queste cariche vengono attirate dal campo generato da queste ultime sul drain e iniziano a scorrere.
Non capisco ora perché se la ddp sul drain dovesse aumentare, il flusso di elettroni si saturizzerebbe e il canale verrebbe a restringersi.
A me viene da pensare il contrario, ovvero che se aumento la ddp sul drain, l'effetto del campo sarebbe maggiore e gli elettroni scorrerebbero più ancor più velocemente
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