[elettronica] MOSFET
Ciao a tutti! Complimenti per il sito...è il primo post che scrivo...
per caso qualcuno di voi saprebbe spiegarmi o dirmi dove posso trovare materiale riguardante i MOSFET, ma soprattutto come realizzare i circuiti equivalenti alle variazioni per NMOS e PMOS?
Graziee!!
ps. ho qualche appunto ma non mi sono chiare le formule che coninvolgono la Base (che magari nel circuito inziale non viene per niente considerata...)
per caso qualcuno di voi saprebbe spiegarmi o dirmi dove posso trovare materiale riguardante i MOSFET, ma soprattutto come realizzare i circuiti equivalenti alle variazioni per NMOS e PMOS?
Graziee!!
ps. ho qualche appunto ma non mi sono chiare le formule che coninvolgono la Base (che magari nel circuito inziale non viene per niente considerata...)
Risposte
Ti posso consigliare un libro: Sedra, Smith "Circuiti per la microelettronica"
"uffola20":
per caso qualcuno di voi saprebbe spiegarmi o dirmi dove posso trovare materiale riguardante i MOSFET, ma soprattutto come realizzare i circuiti equivalenti alle variazioni per NMOS e PMOS?
In "Microelettronica" di R.C.Jaeger trovi una trattazione del MOSFET e del circuito equivalente per piccoli segnali (oltre a molti altri argomenti inerenti l'elettronica).
Io ho il testo più vecchio in versione "librone", che tra l'altro non è fuori commercio, ma che oggi si vende in 3 tomi: guarda qui. La parte di elettronica digitale, ad esempio, immagino non ti interessi ancora.
"uffola20":
ps. ho qualche appunto ma non mi sono chiare le formule che coninvolgono la Base (che magari nel circuito inziale non viene per niente considerata...)
I MOSFET non hanno una "base". I terminali si chiamano Drain, Source, Gate.
Vengo or ora a scoprire che esiste una terza edizione del Jaeger, che condensa i primi due volumi della seconda. Mi pare che l'indice contenga gli argomenti che ti interessano:
Indice
Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi
1) Introduzione all’elettronica
2) Elettronica dello stato solido
3) Diodi a stato solido e circuiti a diodi
4) Transistori a effetto di campo
5) Il transistore bipolare a giunzione
Parte 2 Circuiti integrati analogici
6) Sistemi analogici
7) L’amplificatore operazionale ideale
8) Caratteristiche e limitazioni degli amplificatori operazionali
9) Modelli a piccolo segnale e amplificazione lineare - amplificatori invertenti
10) Amplificatori a singolo transistore e multistadio accoppiati in ac
11) Amplificatori differenziali e operazionali
12) Risposta in frequenza
13) Retroazione, stabilità e oscillatori
Indice
Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi
1) Introduzione all’elettronica
2) Elettronica dello stato solido
3) Diodi a stato solido e circuiti a diodi
4) Transistori a effetto di campo
5) Il transistore bipolare a giunzione
Parte 2 Circuiti integrati analogici
6) Sistemi analogici
7) L’amplificatore operazionale ideale
8) Caratteristiche e limitazioni degli amplificatori operazionali
9) Modelli a piccolo segnale e amplificazione lineare - amplificatori invertenti
10) Amplificatori a singolo transistore e multistadio accoppiati in ac
11) Amplificatori differenziali e operazionali
12) Risposta in frequenza
13) Retroazione, stabilità e oscillatori
grazie....vedo cosa riesco a trovare...è che in realtà non mi sono molto chiari gli appunti che ho...
I terminali ok, scusate per Base intendevo B (body).
I terminali ok, scusate per Base intendevo B (body).
"uffola20":
grazie....vedo cosa riesco a trovare...è che in realtà non mi sono molto chiari gli appunti che ho...
I terminali ok, scusate per Base intendevo B (body).
Figurati, se hai problemi chiedi pure (qui nessuno parla mai dei MOSFET
).
volevo inviari il mio pdf (dispensa) perchè guardando sul sedra smith ho la sensazione di perdermi in un bicchiere d'acqua 
ma non posso caricare un file qui giusto?
ma non posso caricare un file qui giusto?
Puoi farlo, a meno che questo non violi diritti d'autore o vada contro espresso ordine del docente.
Esponi il problema direttamente qui, senza la necessità di caricare alcun file.
Grazie. Cercerò di spiegarmi al meglio.
Tra gli esercizi che avrò all'esame, ne troverò sicuramente uno sui circuiti equivalenti dei MOSFET.
Nelle dispense che ho,( non ho frequentato il corso), ho tutte le varie formule per il calcolo della corrente Id nei vari casi di interdizione, triodo e saturazione con tanto di simbolo grafico rappresentato con i 3 terminali (DGS). E fin qui è tutto elementarmente chiaro.
Poi, mi trovo di fronte un circuito equivalente alle variazioni:
Il circuito è costituito da 2 generatori di corrente in parallelo(gm * Vgs; gmb * Vbs) a loro volta in parallelo con una resistenza go
Ig=0
Ib=0
Id=gm * Vgs + go * Vds + gmb * Vbs
per il calcolo di gm e go non ci sono problemi perchè dipendono tutti da tensioni note, ma gmb e Vbs invece dove trovo i dati(se nell'evenuale esercizio di B non c'è traccia)?
Tra gli esercizi che avrò all'esame, ne troverò sicuramente uno sui circuiti equivalenti dei MOSFET.
Nelle dispense che ho,( non ho frequentato il corso), ho tutte le varie formule per il calcolo della corrente Id nei vari casi di interdizione, triodo e saturazione con tanto di simbolo grafico rappresentato con i 3 terminali (DGS). E fin qui è tutto elementarmente chiaro.
Poi, mi trovo di fronte un circuito equivalente alle variazioni:
Il circuito è costituito da 2 generatori di corrente in parallelo(gm * Vgs; gmb * Vbs) a loro volta in parallelo con una resistenza go
Ig=0
Ib=0
Id=gm * Vgs + go * Vds + gmb * Vbs
per il calcolo di gm e go non ci sono problemi perchè dipendono tutti da tensioni note, ma gmb e Vbs invece dove trovo i dati(se nell'evenuale esercizio di B non c'è traccia)?
Vediamo se ho capito.
L'esercizio ti propone un circuito contenente un transistore MOSFET. Il tuo compito è quello di sostituire al transistor il suo circuito equivalente ai piccoli segnali e calcolare $i_D$.
Il circuito equivalente che descrivi (2 generatori di corrente comandati + conduttanza $g_o$ di uscita) è riferito al transistor MOSFET nel caso in cui si voglia tener conto del terminale di bulk (body). Ma, in questo caso, il circuito dell'esercizio deve necessariamente contenere un transistor MOSFET a 4 terminali: S, D, G, B, altrimenti non saresti in grado di determinare $V_(BS)$, ovvero la tensione tra bulk e source. Il valore di $g_(mb)$ deve comparire tra i dati del problema. Quest'ultimo parametro, noto come transconduttanza di body, è legato alla transconduttanza $g_m$ tramite la relazione
$g_(mb)=(gamma g_m)/(2sqrt(V_{SB}+2phi_F))$,
e modella l'effetto body ai piccoli segnali (la variazione della tensione di soglia $V_(Tn)$ con la tensione $V_(SB)$).
Ti consiglio comunque di approfondire la struttura del transistor MOSFET prima di occuparti del modello a piccoli segnali, altrimenti rischi di non capire (senza sapere cos'è il contatto di bulk, è dura capire l'effetto body!)
L'esercizio ti propone un circuito contenente un transistore MOSFET. Il tuo compito è quello di sostituire al transistor il suo circuito equivalente ai piccoli segnali e calcolare $i_D$.
Il circuito equivalente che descrivi (2 generatori di corrente comandati + conduttanza $g_o$ di uscita) è riferito al transistor MOSFET nel caso in cui si voglia tener conto del terminale di bulk (body). Ma, in questo caso, il circuito dell'esercizio deve necessariamente contenere un transistor MOSFET a 4 terminali: S, D, G, B, altrimenti non saresti in grado di determinare $V_(BS)$, ovvero la tensione tra bulk e source. Il valore di $g_(mb)$ deve comparire tra i dati del problema. Quest'ultimo parametro, noto come transconduttanza di body, è legato alla transconduttanza $g_m$ tramite la relazione
$g_(mb)=(gamma g_m)/(2sqrt(V_{SB}+2phi_F))$,
e modella l'effetto body ai piccoli segnali (la variazione della tensione di soglia $V_(Tn)$ con la tensione $V_(SB)$).
Ti consiglio comunque di approfondire la struttura del transistor MOSFET prima di occuparti del modello a piccoli segnali, altrimenti rischi di non capire (senza sapere cos'è il contatto di bulk, è dura capire l'effetto body!)
esatto è proprio questo che non mi è chiaro; ora mi leggo tutto per bene sul sedra-smith, comunque nell'ventualita che B non sia presente nel circuito iniziale in sostanza bastarebbe tralasciare il ramo in parallelo con il generatore dipendene da esso?!
grazie a tutti della disponibilità!
grazie a tutti della disponibilità!
"uffola20":
nell'ventualita che B non sia presente nel circuito iniziale in sostanza bastarebbe tralasciare il ramo in parallelo con il generatore dipendene da esso?!!
Esatto. Trascurare $g_(mb)$ equivale sostanzialmente a porre $V_(SB)=0$ e quindi a trascurare l'effetto body.
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