[Elettronica] Dimostrazione formule mosfet n
Mi è stato chiesto di dimostrare con Kirchoff le formule per trovare Ids del Mosfet n quando è in zona triodo e saturazione, ovvero queste:
triodo: $Ids=(kn)/2Vds (Vgs+Vgd-2Vtn)$
Saturazione: $Ids=(kn)/2 (Vgs-Vtn)^2$
Dove g è il gate, d il drain e s il source e Vtn la tensione di soglia..
Come si dimostra? Non so da dove partire e non le trovo nemmeno sui libri, io le ho sempre prese per buone..
triodo: $Ids=(kn)/2Vds (Vgs+Vgd-2Vtn)$
Saturazione: $Ids=(kn)/2 (Vgs-Vtn)^2$
Dove g è il gate, d il drain e s il source e Vtn la tensione di soglia..
Come si dimostra? Non so da dove partire e non le trovo nemmeno sui libri, io le ho sempre prese per buone..
Risposte
Per dimostrare quelle formule, bisogna considerare la struttura fisica del MOSFET (trascurando l'effetto del substrato di silicio), partendo dal diagramma a bande, e procedendo nel capire che fine fanno i maggioritari in conduzione.

Tuttavia, non capisco cosa si intenda dire "dimostrare con Kirchhoff", da quali equazioni dovresti partire per dimostrare la caratteristica di un MOSFET semplicemente utilizzando equazioni ai nodi e alle maglie?

Tuttavia, non capisco cosa si intenda dire "dimostrare con Kirchhoff", da quali equazioni dovresti partire per dimostrare la caratteristica di un MOSFET semplicemente utilizzando equazioni ai nodi e alle maglie?