Amplificatore a mosfet
https://docs.google.com/viewer?a=v&pid= ... MWEw&hl=it][/img]
Salve a tutti!!Vorrei una mano nella risoluzione del primo punto di questo esercizio...Allora io per prima cosa ho considerato in condizioni statiche tutti i condensatori dei circuiti aperti, quindi ho un circuito di polarizzazione a 4 resistenze. Ho ipotizzato che il monsfet sia in regione di saturazione (pinch-off) dove Vds> Vgs - Vth e la corrente di drain è Id= K(Vgs-Vth)^2. Ho scritto l'equazione alla maglia di ingresso, considerando il ciruito eq.di thevenin , Vg=Vgs + RsId dove ho considerato Ig=0. Mettendo in sistema queste due equazioni posso ricavare il valore di Vgs dalla corrente di drain e sostituire nell'eq. alla maglia di ingresso e di li conoscendo il valore di Vg posso calcolare il valore delle due resistenze R1 e R2. Quando vado a calcolare Vgs ho due soluzioni, dovrei scegliere quella che soddisfa la condizione in regione di saturazione. Il problema è che ho un'ulteriore condizione da imporre ovvero che Pd=2.7mW (potenza dissipata) , allora mi chiedo, è giusto calcolare dalla potenza dissipata il valore di R1 e poi sostituirlo nell'equazione alla maglia di ingresso per ricavare R2??spero in un aiuto, grazie in anticipo
Salve a tutti!!Vorrei una mano nella risoluzione del primo punto di questo esercizio...Allora io per prima cosa ho considerato in condizioni statiche tutti i condensatori dei circuiti aperti, quindi ho un circuito di polarizzazione a 4 resistenze. Ho ipotizzato che il monsfet sia in regione di saturazione (pinch-off) dove Vds> Vgs - Vth e la corrente di drain è Id= K(Vgs-Vth)^2. Ho scritto l'equazione alla maglia di ingresso, considerando il ciruito eq.di thevenin , Vg=Vgs + RsId dove ho considerato Ig=0. Mettendo in sistema queste due equazioni posso ricavare il valore di Vgs dalla corrente di drain e sostituire nell'eq. alla maglia di ingresso e di li conoscendo il valore di Vg posso calcolare il valore delle due resistenze R1 e R2. Quando vado a calcolare Vgs ho due soluzioni, dovrei scegliere quella che soddisfa la condizione in regione di saturazione. Il problema è che ho un'ulteriore condizione da imporre ovvero che Pd=2.7mW (potenza dissipata) , allora mi chiedo, è giusto calcolare dalla potenza dissipata il valore di R1 e poi sostituirlo nell'equazione alla maglia di ingresso per ricavare R2??spero in un aiuto, grazie in anticipo
Risposte
Devi mettere a sistema un pò di equazioni:
1) Kirchhoff alla maglia di ingresso:
\(\displaystyle V_G=R_{G2} \frac{V_{DD}}{R_{G1}+R_{G2}} \)
2) Ohm sulla resistenza $R_S$:
\(\displaystyle V_S=R_S I_D \)
3) Relazione del MOSFET:
\(\displaystyle I_D=k(V_G-V_S-V_T)^2 \)
4) La potenza dissipata totale sarà
\(\displaystyle P_{tot}=I_D^2(R_S+R_D) + \frac{V_{DD}^2}{R_{G1}+R_{G2}} \)
Queste sono quattro equazioni nelle quattro incognite $V_G,V_S,R_{G1},R_{G2}$. Buon lavoro...
1) Kirchhoff alla maglia di ingresso:
\(\displaystyle V_G=R_{G2} \frac{V_{DD}}{R_{G1}+R_{G2}} \)
2) Ohm sulla resistenza $R_S$:
\(\displaystyle V_S=R_S I_D \)
3) Relazione del MOSFET:
\(\displaystyle I_D=k(V_G-V_S-V_T)^2 \)
4) La potenza dissipata totale sarà
\(\displaystyle P_{tot}=I_D^2(R_S+R_D) + \frac{V_{DD}^2}{R_{G1}+R_{G2}} \)
Queste sono quattro equazioni nelle quattro incognite $V_G,V_S,R_{G1},R_{G2}$. Buon lavoro...
Grazie mille!! 
Posso approfittare della tua gentilezza e chiederti un 'altra cosa? Se avessi avuto un amplificatore a mosfet ma con una resistenza tra base e collettore(resistenza di feedback) la potenza dissipata sarebbe stata: Pd= VddId? grazie ancora
Posso approfittare della tua gentilezza e chiederti un 'altra cosa? Se avessi avuto un amplificatore a mosfet ma con una resistenza tra base e collettore(resistenza di feedback) la potenza dissipata sarebbe stata: Pd= VddId? grazie ancora
In generale trovi la potenza dissipata da un resistore mediante $R I^2$ oppure $V^2/R$, dove I e V sono la corrente che vi scorre e la differenza di potenziale ai due capi. del resistore. Stavo pensando che a rigore nel conto della potenza dissipata andrebbe inclusa anche la potenza dissipata dal transistor, pari a $I_D V_{DS}$, per cui
\(\displaystyle P_{tot}=I_D^2(R_S+R_D)+\frac{V_{DD}^2}{R_{G1}+R_{G2}} + I_D (V_{DD}-R_D I_D - R_S I_D) \)
\(\displaystyle P_{tot}=I_D^2(R_S+R_D)+\frac{V_{DD}^2}{R_{G1}+R_{G2}} + I_D (V_{DD}-R_D I_D - R_S I_D) \)
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