Semiconduttore P in circuito partitore di tensione.

[mtx4]

Salve

ho questo esercizio, cui mi sono bloccato sul più bello. Lo scrivo brevemente:
Un semiconduttore P ha una resistività al buio di $8$ $Ohm*cm$; viene illuminato e si generano $3*10^19$ coppie elettrone-lacuna con un tempo di vita media di $10$ micro$s$. Il semiconduttore è inserito in un circuito partitore in grado di rivelare le variazioni di resistenza della barretta di semiconduttore come variazioni di tensione. Calcolare la variazione di tensione in uscita a seguito dell'irradiazione.
Allego anche foto del circuito e del procedimento fin ora adottato.
Ora mi resta la variazione di tensione, ma non ho idea di come fare, credo mi stia perdendo in un bicchiere d'acqua
è possibile avere uno spunto ... ?

[elgiovo]

Ma come? Hai fatto bene la parte difficile e ti fermi qua?

Banalmente, ti devi ricavare la resistenza del semiconduttore al buio, chiamiamola $R_D$ (D=dark). La tensione su $R$ al buio sarà

\(\displaystyle V_R=V \frac{R}{R+R_B} \)

Dopo l'illuminazione avrai una $R_L$ (L=light), quindi la tensione su R sarà

\(\displaystyle V_R=V \frac{R}{R+R_L} \)