[Elettronica] Sulla tensione di breakdown
Continuo a non capire perché in uno zener più ee piccola la zona di svuotamento più ee piccolo v di bk. Dai miei modelli e ragionamenti risulta semmai il contrario. Mi occorre una spiegazione ovviamente solo qualitativa basata sul campo interno e sul potenziale applicato inversamente nello zener
[xdom="elgiovo"]Modificato il titolo[/xdom]
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Risposte
Tra un po' sarà il mio cervello ad andare in breake down
Anche se non conosco l'argomento di cui scrivi, la domanda mi pare posta in un modo un pò confuso.
Forse è il caso di riformularla, scrivendo più dettagli e correggendo qualche svista ortografica.
Ciao.
P.S. Magari modificherei anche il titolo, seguendo le istruzioni contenute qui: viewtopic.php?f=38&t=39109, oltre quanto previsto dal regolamento generale del forum.
Forse è il caso di riformularla, scrivendo più dettagli e correggendo qualche svista ortografica.
Ciao.
P.S. Magari modificherei anche il titolo, seguendo le istruzioni contenute qui: viewtopic.php?f=38&t=39109, oltre quanto previsto dal regolamento generale del forum.
Vedi la zona svuotata come una sorta di rilassamento nei confronti della tensione applicata $V_d$. Se il diodo è poco drogato la zona svuotata si allarga parecchio e il campo elettrico $E(x)$ si "spiattella" al suo interno, perché quello che conta è che il suo integrale sia pari a $V_d$. A parità di tensione inversa, in un diodo molto drogato la zona svuotata è piccola e sono necessari alti campi elettrici perché il loro integrale dia $V_d$. Siccome di solito i meccanismi di breakdown hanno una dipendenza importante dal campo elettrico (esponenziale o giù di lì), in un diodo molto drogato la zona svuotata è molto più piccola e la $V_{BD}$ diminuisce di conseguenza.