[Elettronica] Sulla tensione di breakdown

[Drugotulo90]

Continuo a non capire perché in uno zener più ee piccola la zona di svuotamento più ee piccolo v di bk. Dai miei modelli e ragionamenti risulta semmai il contrario. Mi occorre una spiegazione ovviamente solo qualitativa basata sul campo interno e sul potenziale applicato inversamente nello zener

[xdom="elgiovo"]Modificato il titolo[/xdom]

[Drugotulo90]

Tra un po' sarà il mio cervello ad andare in breake down

[peppe.carbone.90]

Anche se non conosco l'argomento di cui scrivi, la domanda mi pare posta in un modo un pò confuso.
Forse è il caso di riformularla, scrivendo più dettagli e correggendo qualche svista ortografica.

Ciao.

P.S. Magari modificherei anche il titolo, seguendo le istruzioni contenute qui: viewtopic.php?f=38&t=39109, oltre quanto previsto dal regolamento generale del forum.

[elgiovo]

Vedi la zona svuotata come una sorta di rilassamento nei confronti della tensione applicata $V_d$. Se il diodo è poco drogato la zona svuotata si allarga parecchio e il campo elettrico $E(x)$ si "spiattella" al suo interno, perché quello che conta è che il suo integrale sia pari a $V_d$. A parità di tensione inversa, in un diodo molto drogato la zona svuotata è piccola e sono necessari alti campi elettrici perché il loro integrale dia $V_d$. Siccome di solito i meccanismi di breakdown hanno una dipendenza importante dal campo elettrico (esponenziale o giù di lì), in un diodo molto drogato la zona svuotata è molto più piccola e la $V_{BD}$ diminuisce di conseguenza.