[Elettronica] esercizio giunzione pn contatto metallo-semiconduttore

[zanetti41]

Ciao ragazzi, volevo chiedervi aiuto riguardo un esercizio d'esame. Il testo diceva all'incirca così: sapendo che l'area del diodo è $1 mm^2 $ e la corrente di saturazione inversa $ Io= 1,5 * 10^10 A $. Il testo mi forniva anche una tabella riguardante tre valori di capacitá del sistema che decrescavano al variare della tensione applicata di valori $0$ $-1$ $-2$. Il testo chiedeva dire perche non é possibile che questo sistema sia realizzato con una giunzione pn a gradiente lineare e poi dire giustificando se tale sistema é realizzato mediante una giunzione pn brusca asimmetrica oppure tramite un contatto metallo-semiconduttore in cui il metallo é oro e il semiconduttore é di tipo n.
Io ho provato a svolgerlo usando la formula della $Cj$ ovvero la capacità di svuotamento, fissando un valore arbitrario di a e utilizzando un valore di $C$ preso dalla tabella per poi ricavarmi la $Vbi$ ( tensione di built-in). Conoscendo la tensione di built in ho sostituito i valori della tensione applicata oresenti in tabella e ho confrontato i valori ottenuti della $Cj$ con quello presenti in tabella, constatando che non coincidevano ho concluso che non si trattasse di una giunzione a gradiente lineare. Può essere un ragionamento corretto? Potete darmi una mano per quanto riguarda il secondo punto?

[Flamber]

Non ho capito bene una cosa, il valore della capacità diminuisce all'aumentare della tensione?

Le alternative sono due, o scrivi tutte le equazioni, partendo dal profilo di drogaggio, ed arrivando all'equazione di boltzmann, oppure puoi fare un ragionamento su come lavora un diodo schottky rispetto ad un normale diodo a giunzione, e cercare di capire che fine fanno le capacità parassite