[Elettronica] DRAM
salve a tutti,
il testo mi chiede di voler realizzare una cella di memoria dinamica con un transistore mos ad arricchimento caratterizzato da una certa capacità,che lavori rappresentando lo zero logico con 0 volt e l'uno logico con 4 volt.
Mi viene chiesto che valore di tensione bisogna usare,in fase di scrittura,per la bit-line e per la word-line.
Se si vuole scrivere uno 0,allora VBL=0,se si vuole scrivere un 1,allora VBL=4,e durante tale fase la tensione di word-line è portata a 1 volt(oppure è portata a 4volt)???
è corretto?
grazie in anticipo
il testo mi chiede di voler realizzare una cella di memoria dinamica con un transistore mos ad arricchimento caratterizzato da una certa capacità,che lavori rappresentando lo zero logico con 0 volt e l'uno logico con 4 volt.
Mi viene chiesto che valore di tensione bisogna usare,in fase di scrittura,per la bit-line e per la word-line.
Se si vuole scrivere uno 0,allora VBL=0,se si vuole scrivere un 1,allora VBL=4,e durante tale fase la tensione di word-line è portata a 1 volt(oppure è portata a 4volt)???
è corretto?
grazie in anticipo
Risposte
Perché terresti la tensione della WL a 1V se $V_{DD}$ è 4V?
"Sling":
Perché terresti la tensione della WL a 1V se $V_{DD}$ è 4V?
si infatti non mi tornava,quindi deve essere 4 volt,grazie
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