[Elettronica] Criteri di scelta del punto di lavoro nel BJT e nel MOSFET
Ciao a tutti 
come da titolo, sto affrontando nei miei studi il transistor bipolare a giunzione ed il mosfet. Volevo chiedervi se potevate aiutarmi a comprendere alcune cose spiegate a lezione dal professore ma che non ho trovato sui libri che ho a disposizione.
Si tratta dei CRITERI DI SCELTA DEL PUNTO DI LAVORO riguardanti appunto il BJT ed il MOSFET. In particolare, il professore si era soffermato sulla massima escursione del segnale, la potenza dissipata ed il guadagno ai piccoli segnali.
Il mio problema risiede nel fatto che quando sono state spiegate queste cose probabilmente non ho preso appunti oppure il professore le ha inserite nel programma senza però averle accennate in classe. Comunque sia, avrei necessità che qualcuno mi spiegasse questi concetti, cosi da avere almeno un'idea di fondo degli argomenti, o magari mi consigliasse del materiale da consultare in cui vengono spiegate queste cose
VI ringrazio di già per le risposte
come da titolo, sto affrontando nei miei studi il transistor bipolare a giunzione ed il mosfet. Volevo chiedervi se potevate aiutarmi a comprendere alcune cose spiegate a lezione dal professore ma che non ho trovato sui libri che ho a disposizione.
Si tratta dei CRITERI DI SCELTA DEL PUNTO DI LAVORO riguardanti appunto il BJT ed il MOSFET. In particolare, il professore si era soffermato sulla massima escursione del segnale, la potenza dissipata ed il guadagno ai piccoli segnali.
Il mio problema risiede nel fatto che quando sono state spiegate queste cose probabilmente non ho preso appunti oppure il professore le ha inserite nel programma senza però averle accennate in classe. Comunque sia, avrei necessità che qualcuno mi spiegasse questi concetti, cosi da avere almeno un'idea di fondo degli argomenti, o magari mi consigliasse del materiale da consultare in cui vengono spiegate queste cose
VI ringrazio di già per le risposte
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