[Elettronica] Contenuto memoria NOR-ROM
Salve,
Volevo chiedere un aiuto riguardo al segente esercizio:

Provando a ragionarci un po penso sia cosi:
1 1 0 1
1 1 0 1
0 1 0 0
0 1 0 0
Purtroppo non e riportata la soluzione, percio vi sarei grato se potreste darmi un parere. Grazie
Volevo chiedere un aiuto riguardo al segente esercizio:

Provando a ragionarci un po penso sia cosi:
1 1 0 1
1 1 0 1
0 1 0 0
0 1 0 0
Purtroppo non e riportata la soluzione, percio vi sarei grato se potreste darmi un parere. Grazie

Risposte
Se le righe sono relative alle WL(i) e le colonne alle linee BL(i) direi
1 1 0 1
0 1 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
1 1 0 1
0 1 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
Ok grazie mille!
Un'altra cosa che non mi e molto chiara e il perche di quella fila iniziale di PMOS, che avendo gate a massa conducono sempre..
Un'altra cosa che non mi e molto chiara e il perche di quella fila iniziale di PMOS, che avendo gate a massa conducono sempre..
"HeroGian":
... non mi e molto chiara e il perche di quella fila iniziale di PMOS, che avendo gate a massa conducono sempre..
Quei PMOS svolgono la funzione di pull-up per le bit lines e con una connessione comune dei gates non permanentemente a massa potrebbero anche essere utilizzati per una modalità di funzionamento dinamico della ROM attraverso un impulso di precarica delle bit lines, che precede l'attivazione delle word lines, al fine di limitare la dissipazione.