Buche,elettroni,legge di azione di massa

[brigitteimma]

Salve a tutti
Sto studiando i semiconduttori. Ho letto che a T>0 per ogni elettrone che passa nella banda di conduzione si forma una buca in quella di valenza . Quindi il numero di buche (che indico con P )è uguale a quello degli elettroni(n).
Calcolando la concentrazione di p o di n ho trovato che dipende dal potenziale chimico e se abbasso quest'ultimo n diminuisce e p aumenta oppure se aumento il valore del potenziale chimico p diminuisce e n aumenta . Ma non avevamo detto che n= p ??

La risposta che mi sono data è che n=p per semiconduttori intrinseci mentre se sono drogati n è diverso da p ma comunque n e p sono collegati dalla legge di azione di massa (n*p =ni^2) . Vorrei sapere se il mio ragionamento è giusto e in caso contrario avere delucidazioni . Grazie in anticipo a tutti.



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[Spremiagrumi1]

$n=p$ vale solo per semiconduttori chimicamente puri, quindi quelli intrinseci.

Quando si va a drogare il SC si hanno due tipi di droganti: accettori e donori.
In un SC drogato con accettori (tipo p) il numero di elettroni in banda di conduzione è uguale al numero di elettroni intrinseci mentre il numero di buche in banda di valenza è uguale al numero di buche intrinseche più il numero di atomi droganti, quindi
$p>n$
Viceversa quando un SC è drogato con donori (tipo n) il numero di buche in banda di valenza è uguale al numero di buche intrinseche mentre il numero di elettroni in banda di conduzione è uguale al numero di elettroni intrinseci più il numero di atomi droganti.

Quindi la risposta che ti sei data è giusta.