Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]
Buonasera,
Sto affrontando lo studio di alcuni dispositivi elettronici a semiconduttore, e mi chiedevo se ci fosse un modo matematico per dimostrare, che la barriera nella regione svuotata della giunzione non può essere annullata, nemmeno polarizzando il diodo con tensioni grandissime (in modulo).
Sto affrontando lo studio di alcuni dispositivi elettronici a semiconduttore, e mi chiedevo se ci fosse un modo matematico per dimostrare, che la barriera nella regione svuotata della giunzione non può essere annullata, nemmeno polarizzando il diodo con tensioni grandissime (in modulo).
Risposte
guarda che non è vero...se cortocircuiti il diodo questo si rompe...
In che senso si rompe? Io sto parlando di un diodo in polarizzazione diretta, non soggetto quindi a fenomeni di breakdown.
Mi stai dicendo che è possibile polarizzando direttamente il diodo (con il + della batteria sul lato p), fino ad un punto tale da ottenere la banda piatta come nel MOS, e quindi annullare di fatto il potenziale di contatto tra lato p e lato n?
Mi stai dicendo che è possibile polarizzando direttamente il diodo (con il + della batteria sul lato p), fino ad un punto tale da ottenere la banda piatta come nel MOS, e quindi annullare di fatto il potenziale di contatto tra lato p e lato n?
Nel senso che si brucia, senti puzza di bruciato, diodo caput...
"newton_1372":
guarda che non è vero...se cortocircuiti il diodo questo si rompe...
Questa non l'ho capita.
Cioè quindi anche facendo riferimento al modello di ampio segnale, non è possibile trovare una relazione matematica che garantisca l'impossibilità di annullare il potenziale di contatto?
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