[Metallurgia] Difetti Cristallini

[Antonio_80]

Ho un piccolo dubbio su quello che ho trovato scritto qui:

http://www.chimdocet.it/solido/file7a.htm

In sostanza, la parte per me incriminata è la seguente:

L’energia libera di Gibbs, G = H-TS, di un solido che contiene difetti riceve contributi dall'entalpia e dall'entropia del campione. Poichè l’entropia è una misura del disordine del sistema, e qualunque solido in cui alcuni degli atomi non occupano i loro siti reticolari possiede entropia superiore a quella di un cristallo perfetto, ne viene che la presenza dei difetti contribuisce con un termine negativo all'energia libera di Gibbs. La formazione dei difetti è in generale un processo endotermico (nel qual caso H risulta più elevata in presenza dei difetti), ma poichè T >0, l'energia libera di Gibbs avrà un ninimo a concentrazione dei difetti non-nulla (Figura a) e la loro formazione sarà spontanea. Per di più, al crescere della temperatura, il minimo di G si sposta verso concentrazioni superiori di difetti (Figura b) .

Quello che non comprendo è quando dice che La presenza di difetti contribuisce con un termine negativo all'energia libera di Gibbs.

Ma cosa intende con questo termine negativo
Nella formula di Gibbs, a chi è da attribuire questo segno negativo


Io cerco di darmi delle risposte, pensado al fatto che se il processo è Endotermico, allora $DeltaH>0$ (calore dall'ambiente al sistema), poi considerando che la $T>0$, allora per esclusione posso dire che il termine Negativo è da attribuire alla $S£ e quindi si ha che è l'entropia a definire il termine negativo dovuto alla presenza di difetti, vero
Ma comunque, non mi è tanto chiaro il concetto........


Qualcuno può per favore aiutarmi a capire che vuo dire con questo termine Negativo che compare nella eq. di Gibbs per colpa di questi difetti

[Thememe1996]

Ciao,

ti do ragione sul fatto che è scritto in maniera poco chiara.
L’unica interpretazione che mi viene in mente è che il termine negativo sia -T*S.
Considerando che la temperatura e l’entropia sono sempre positive, globalmente -T*S è negativo.
Siccome S cresce all’aumentare dei difetti, allora -T*S contribuisce in maniera sempre più negativa al crescere dei difetti.
Però, come gli stessi grafici mostrano, anche l’entalpia dipende dalla concentrazione di difetti, quindi non solo -T*S è influenzato dai difetti.