[Elettronica] Eccessi di minoritari nel diodo a giunzione
Ho da risolvere un problema che riguarda una giunzione pn, cerco di riportare brevemente la parte che mi è poco chiara, senza ricavare le equazioni, in mondo da non appesantire troppo il post.
Si tratta di una giunzione pn con drogaggio $N_A=10^16cm^-3$ ed $N_D=5*10^16cm^-3$, polarizzata direttamente con $0.6V$.
Attraverso il modello matematico dei semiconduttori arrivo ad un'equazione differenziale del tipo:
$(del^2p'_n)/(delx^2)-1/L_p^2p'_n=0$
dove $p'_n$ è l'eccesso di lacune nel lato n rispetto all'equilibrio ed $L_p$ è la lunghezza di diffusione sempre delle lacune nel lato n.
La soluzione di quell'equazione è del tipo:
$p'_n(x)=Ae^(x/L_p)+Be^(-x/L_p)$
Oltre alla legge della giunzione, quale può essere un'ulteriore condizione al contorno?
Si tratta di una giunzione pn con drogaggio $N_A=10^16cm^-3$ ed $N_D=5*10^16cm^-3$, polarizzata direttamente con $0.6V$.
Attraverso il modello matematico dei semiconduttori arrivo ad un'equazione differenziale del tipo:
$(del^2p'_n)/(delx^2)-1/L_p^2p'_n=0$
dove $p'_n$ è l'eccesso di lacune nel lato n rispetto all'equilibrio ed $L_p$ è la lunghezza di diffusione sempre delle lacune nel lato n.
La soluzione di quell'equazione è del tipo:
$p'_n(x)=Ae^(x/L_p)+Be^(-x/L_p)$
Oltre alla legge della giunzione, quale può essere un'ulteriore condizione al contorno?
Risposte
"Flamber":
Oltre alla legge della giunzione, quale può essere un'ulteriore condizione al contorno?
Non ci sono molte alternative. Al bordo del depletion layer conta la legge della giunzione, al contatto $p'_n = 0$.
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