[Elettronica] Caratteristiche Bjt

[Ziko1]

Ciao a tutti, la mia difficoltà sta nel fatto che non so ricavare le informazioni che mi servono dal datasheet del costruttore che dovrebbe essere esaustivo... ma per me non lo è affatto.

Ad esempio se si cerca il datasheet del 2N3055 si trovano molte cose (tutte molto simili), ma in tutte non riesco a trovare:
-Corrente di saturazione inversa Is
-Funzioni di trasferimento (Ic funzione di Vce)
-Tensione di Early

Ora... per come mi hanno spiegato i transistor senza questi parametri posso fare ben poco. Qualcuno mi da qualche dritta? Magari si ricavano per vie traverse che ignoro.

Grazie!

[elgiovo]

Il data-sheet del 2N3055 effettivamente è un pò scarno...
Qui ho messo il link al data-sheet del bjt BFG410W della Philips (è un transistor NPN adatto per circuiti RF). A pagina 9 trovi una tabella con i parametri spice, che sono implementati nei principali simulatori circuitali per la caratterizzazione del dispositivo.
- La corrente di sat. inversa $I_S$ è rappresentata dal parametro, indovina un pò, $"IS"$ (per il BFG410W vale "ben" $19.42"aA"$).
- La tensione di Early $V_A$ è rappresentata dal parametro $"VAF"$, in questo caso vale $31.12"V"$.
- Quanto alla funzione di trasferimento $i_C=i_C(v_(CE))"@"v_(BE)$, dipende dal modello che adotti per il TR bjt: secondo me ti puoi accontentare della classica

$i_C=i_C(v_(BE),v_(CE))=I_S["e""x""p"((v_(BE))/V_T)-1]-(I_S+I_(BCS))["e""x""p"((v_(BE)-v_(CE))/(V_T))-1]$,

ovvero quella derivante dal modello di Ebers-Moll. Con $I_(BCS)$ ho indicato la corrente di saturazione (di leakage) per la giunzione B-C, che è data dal parametro $"ISC"=199.6"aA"$.
Volendo considerare l'effetto Early, fissando $v_(BE)$ in modo che

$I_S["e""x""p"((v_(BE))/V_T)-1] > > (I_S+I_(BCS))["e""x""p"((v_(BE)-v_(CE))/(V_T))-1]$,

hai

$i_C=I_(S0)(1+(v_(BC))/V_A)["e""x""p"((v_(BE))/V_T)-1]$
$\quad \quad =I_(S0)(1-(v_(BE))/V_A+(v_(CE))/V_A)["e""x""p"((v_(BE))/V_T)-1]$.

Tutti gli altri parametri che trovi nel data-sheet servono al simulatore per implementare il modello di Gummel-Poon, che è incredibilmente più elaborato.