Transistor NPN saturazione
Ragazzi scusate..ho dubbio sul funzionamento in zona saturazione del transistor:
In base al principio fisico,in saturazione,le due giunzioni pn sono polarizzate direttamente,accade quindi che i portatori maggioritari da una parte e dall'altra avanzano in base,diventando minoritari e riempiendola completamente.
ma quello che non capisco è che la giunzione Base collettore polarizzata direttamente si oppone al passaggio dei minoritari dalla base al collettore...
e siccome saturazione vuol dire passaggio di tanta corrente(elettroni in questo caso) dall'emettitore al collettore...come si spiega questo fatto?
non so se mi sono spiegato...
grazie in anticipo a tutti
In base al principio fisico,in saturazione,le due giunzioni pn sono polarizzate direttamente,accade quindi che i portatori maggioritari da una parte e dall'altra avanzano in base,diventando minoritari e riempiendola completamente.
ma quello che non capisco è che la giunzione Base collettore polarizzata direttamente si oppone al passaggio dei minoritari dalla base al collettore...
e siccome saturazione vuol dire passaggio di tanta corrente(elettroni in questo caso) dall'emettitore al collettore...come si spiega questo fatto?
non so se mi sono spiegato...
grazie in anticipo a tutti
Risposte
dire che saturazione significa corrente elevata dal collettore all'emitter è l'errore...
con saturazione si intende una corrente di base elevata!
con saturazione si intende una corrente di base elevata!
si ma questi portatori minorati in base...che sono tantissimi....dove vanno finire se non passano attraverso il collettore e l'emettitore?,quale è la causa che porta a dire VCE=0?
Si rincombinano generando una corrente di base elevata! Il VCE=0 non devi associarlo ad una corrente nulla! Se guardi le caratteristiche statiche corrente tensione $I_e(V_ce) $ non passa per l'origine degli assi!
scusami ancora....ma se i portatori maggiorati in base sono le lacune....e siccome la base è debolmente drogata...come fanno gli elettroni (minoritari) a ricombinarsi con le lacune???
io mi confondo col fatto che associo al passaggio di corrente nella resistenza del transistor, agli elettroni che dall'emettitore arrivano al collettore.
ma in saturazione gli elettroni sn bloccati in base e nn possono ricombinarsi xkè ci sono poche lacune in base stessa...capisci il mio dubbio?o sbaglio ragionamento?
io mi confondo col fatto che associo al passaggio di corrente nella resistenza del transistor, agli elettroni che dall'emettitore arrivano al collettore.
ma in saturazione gli elettroni sn bloccati in base e nn possono ricombinarsi xkè ci sono poche lacune in base stessa...capisci il mio dubbio?o sbaglio ragionamento?
Il dato che tu dici V_ce0 viene fornito dal costruttore del semiconduttore e da' un'indicazione della tensione e corrente di base massima quando la tensione tra collettore ed emettitore è 0 (non è collegata alcuna tensione, insomma). In tal caso la giunzione Emettitore-Base si comporta come un comunissimo diodo quale che sia il tipo di conduzioe (per elettroni o per lacune) o di tipo (NPN o PNP).

Oops! Credo di aver letto male la VCE che non è VCE0, ma Vce = 0. In tal caso, solo idealmente in saturazione essa è zero; nei casi reali essa è piuttosto sintomo di efficienza del transistor.