Generazione Ottica

[Flamber]

Sto seguendo un corso di dispositivi elettronici, e sul libro non riesco a trovare una giustificazione, che non sia puramente empirica, di quanto sto per descrivere.

Siamo in presenza di un semiconduttore di silicio drogato di tipo n, lungo, per il quale cioè si ha una lunghezza di diffusione molto inferiore alla lunghezza del pezzo di silicio,che in questo caso sarà L. illuminando l'estremità 0 della barretta, molti fotoni vengono assorbiti nel primo strato superficiale, e ciò, aumenta notevolmente il numero delle lacune in 0. il libro dice semplicemente che "ragionevolmente" questo effetto andrà sempre più a ridursi, fino a non essere percettibile in L, dove si avrà essenzialmente la situazione dell'equilibrio.

Ma "ragionevolmente" non ha alcun senso fisico ed ancor meno matematico. Non pretendo ovviamente che qualcuno dimostri il fenomeno matematicamente, perchè è impossibile. La "purezza" e la "perfezione" matematica, molto spesso nelle applicazoni ingegneristiche vengono rimpiazzate da condizioni al contorno che si suppone essere ragionevoli, o che comunque empiricamente si dimostrano valide, per il fatto sostanziale che ad un ingegnere interessa far funzionare qualcosa, e capirne il meccanismo che c'è dietro, e non dimostrare un'ineccepibile relazione matematica.

Ma vorrei quantomeno capire il fenomeno fisico che c'è dietro

[elgiovo]

Conosci la legge di Lambert-Beer?

http://it.wikipedia.org/wiki/Legge_di_Lambert-Beer

Siccome hai assunto che la barra sia molto lunga, a distanze molto grandi ti troverai in condizioni di equilibrio, perché la luce che penetra nel semiconduttore decresce esponenzialmente con la distanza.